霍尔接近开关，当带电流的金属或半导体片层垂直放置在磁场中时，片层两端会产生电位差。这种现象被称为霍尔效应。两端的电位差称为霍尔势u，其表达式为u=kib/d，其中k为霍尔系数，I为通过薄板的电流，B为外加磁场的磁感应强度(洛伦兹力)，d为薄板的厚度。

可以看出，霍尔效应的灵敏度与外加磁场的磁感应强度成正比。霍尔元件属于有源磁电转换设备，是一种磁传感器。它以霍尔效应原理为基础，采用一体化封装装配工艺。在实际应用中，磁性输入信号可以很容易地转换为电信号。同时在工业应用中具有操作简单、可靠性高的要求。霍尔开关就是利用霍尔元件的这一特性制成的。其输入以磁感应强度B为特征，当B的值达到一定电平(如B1)时，内部触发霍尔开关被反转，输出电平状态霍尔开关也被反转。输出端一般采用晶体管输出，类似于NPN、PNP、常开、常闭、锁存式(双极)及其他传感器的双信号输出。霍尔开关具有无冲击、功耗低、使用寿命长、响应频率高的特点。它集成了环氧树脂密封和填充，所以它可以在各种恶劣的环境中可靠地工作。当磁性物体靠近霍尔开关时，开关检测面上的霍尔元件会产生霍尔效应，开关内部电路状态会发生变化，从而识别附近是否存在磁性物体，进而控制开关的通断。接近开关检测对象须是磁性物体。