所谓的霍尔效应是一种物理现象，当磁场被施加到载流金属导体和半导体中的载流子的时候。由美国物理学家霍尔于1879发现的金属的霍尔效应。当电流通过金属箔时，如果施加在垂直于电流方向的磁场时，两侧的金属箔会出现横向电位差。霍尔在半导体中的作用比金属箔更明显，而在居里温度下的铁磁金属会显示出强烈的霍尔效应。

　　各种传感器可以设计通过使用霍尔效应。霍尔电位差嗯=充气艇/ D的基本关系是啊

　　RH = 1 / NQ(金属)

　　公式在铑-霍尔系数：N -载流子浓度或自由电子浓度;Q -电子电荷;I -通过电流;B -垂直于D的磁感应强度;I -导体厚度。

　　半导体和铁磁金属，霍尔系数和型(RH = 1 / NQ(金属)，此处省略)。

　　由于导线周围有一个磁场，它的大小与导线中的电流成正比，因此它可以用来测量霍尔元件的磁场，和导线电流的大小可以确定。利用这个原理可以设计成霍尔电流传感器。本实用新型的优点是：不与被测电路接触，不影响测得的电路，不消耗被测电源的功率，特别适用于大电流感测。

　　如果霍尔元件放置在电场E和磁场H的电磁场强度，导致元件在电流I，霍尔潜在的组件相同的差异产生的电场强度E成正比，如果磁场强度测量电磁场，电磁场的瞬间功率密度值可以由P = EH P.确定

　　通过使用这种方法，可以形成霍尔功率传感器。

　　如果霍尔元件集成开关设置定期对对象按照预定的位置，永久磁铁，安装在移动的物体可以从测量电路测量得到的脉冲信号时，永磁体安装在移动的物体。根据脉冲信号柱，可以检测到运动物体的位移。如果测量每单位时间内的脉冲数，可以确定运动速度。